半導體激光原理實驗裝置

更新時間：2024-05-11

產品型號：XRS11-WGL-2

廠家性質：生產廠家

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簡要描述：

儀器參數

光學導軌，二維調節架，四維調節架
泵浦光源 808nm半導體激光器
指示光源 650nm半導體激光器
晶體 KPT Nd:YVO4
輸出鏡及濾光片
激光功率計指示

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半導體泵浦激光原理實驗裝置/半導體激光原理實驗裝置 型號：XRS11-WGL-2

儀器簡介

　　適用于大學近代物理教學中非線性光學實驗，本實驗以808nm半導體泵浦Nd:YVO4激光器為研究對象，讓學生自己動手，調整激光器光路，產生1064nm激光。在腔中插入KPT警惕產生532nm倍頻光，觀察倍頻現象，測量倍頻效率，相位匹配角等基本參數。從而對激光原理及激光技術有一定了解。
　　實驗原理同HAD1WGL-1型半導體泵浦激光原理實驗裝置，泵浦激光源強度連續可調，指示光源He-Ne激光器。

儀器參數

光學導軌，二維調節架，四維調節架
泵浦光源 808nm半導體激光器
指示光源 650nm半導體激光器
晶體 KPT Nd:YVO4
輸出鏡及濾光片
激光功率計指示

儀器介紹
WGL-2適用于大學近代物理教學中非線性光學實驗，本實驗以808nm半導體泵浦Nd：YVO4激光器為研究對象，讓學生自己動手，調整激光器光路。在諧振腔中插入KTP晶體產生532nm倍頻光，觀察倍頻現象，測量相位匹配角，閾值等基本參數。從而對激光原理及激光技術有一定的了解。

基本配置及參數：

編號	名稱	規格	件數
1	導軌主體	長1m，硬鋁型材	1
2	808半導體激光器	連續輸出功率：500mW，中心波長：808±10nm，偏振態：TE	1
3	氦氖激光器	632.8nm，功率≤1mW	1
4	紅外顯示卡	可觀察0.7~1.6μm的近紅外光	1
5	KTP晶體	透過波段：0.35~4.5μm，電光系數：γ33=36Pm/V	1
6	Nd:YVO₄晶體	摻Nd3+濃度0.1~3.0 atm%，平面度<λ/10@632.8nm 鍍膜：AR@1064nm，R<0.1%，HT@808nm，T>90%	1
7	光學元件	輸出鏡（R=50mm），濾光片	各1
8	光功率測試儀	2μW、20μW、200μW、2mW、 20mW、200mW六檔功率范圍3位半數字顯示器	1
9	其他	光源架，四維調節架，二維調節架，光靶

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